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制造工艺 编辑
制造工艺指制造CPU或GPU的制程,或指晶体管门电路的尺寸,单位为纳米(nm)。主流的CPU制程已经达到了7-14纳米(AMD三代锐龙已全面采用7nm工艺,intel第9代全面采用14nm),更高的在研发制程甚至已经达到了4nm或更高,已经正式商用的高通855已采用7nm制程。更先进的制造工艺可以使CPU与GPU内部集成更多的晶体管,使处理器具有更多的功能以及更高的性能;更先进的制造工艺会减少处理器的散热设计功耗(TDP),从而解决处理器频率提升的障碍;更先进的制造工艺还可以使处理器的核心面积进一步减小,也就是说在相同面积的晶圆上可以制造出更多的CPU与GPU产品,直接降低了CPU与GPU的产品成本,从而最终会降低CPU与GPU的销售价格使广大消费者得利.....处理器自身的发展历史也充分的说明了这一点,先进的制造工艺不仅让CPU的性能和功能逐步提升,也使成本得到了有效的控制。
CPU
晶圆局部
2017年1月3日,美国高通公司在CES2017正式推出其最新的顶级移动平台——集成X16 LTE的Qualcomm骁龙835处理器。骁龙835处理器是首款采用10纳米FinFET工艺节点实现商用制造的移动平台。
GPU
NVIDIA的GM200芯片采用28nm的制造工艺
硅提纯
制造工艺
在硅提纯的过程中,原材料硅将被熔化,并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种,以便硅晶体围着这颗晶种生长,直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米,而CPU或GPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。
切割晶圆
制造工艺
这是CPU与GPU生产过程中重要操作,也是处理器工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上,使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩,使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜,以及下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。
然后,曝光的硅将被原子轰击,使得暴露的硅基片局部掺杂,从而改变这些区域的导电状态,以制造出N井或P井,结合上面制造的基片,处理器的门电路就完成了。
重复分层
制造工艺
封装
制造工艺
制造工艺
多次测试
制造工艺
当CPU或GPU被放进包装盒之前,一般还要进行最后一次测试,以确保之前的工作准确无误。根据前面测试而确定的处理器的体质不同,它们被放进不同的包装,销往世界各地。
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