TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写（Transistor-Transistor-Logic ），TTL电路是数字集成电路的一大门类。它采用双极型工艺制造，具有高速度高功耗（相对于CMOS）和品种多等特点。

第一代TTL包括SN54/74系列，（其中54系列工作温度为-55℃～+125℃，74系列工作温度为0℃～+75℃），低功耗系列简称lttl，高速系列简称HTTL。

第二代TTL包括肖特基箝位系列（STTL）和低功耗肖特基系列（LSTTL）。

第三代为采用等平面工艺制造的先进的STTL(ASTTL)和先进的低功耗STTL（ALSTTL）。由于LSTTL和ALSTTL的电路延时功耗积较小，STTL和ASTTL速度很快，因此获得了广泛的应用。

门电路

译码器/驱动器

触发器

计数器

移位寄存器

单稳、双稳电路和多谐振荡器

加法器、乘法器

奇偶校验器

码制转换器

线驱动器/线接收器

多路开关

存储器

瞬态特性 由于寄生电容和晶体管载流子的存储效应的存在，输入和输出波形存在四个时间常数td,tf,ts和tr。

延迟时间td

下降时间tf

存储时间ts

上升时间tr

基本单元“与非门”常用电路形式

四管单元 五管单元 六管单元

主要封装形式

双列直插

扁平封装

TTL反相器工作原理，请参照《数字电子技术基础》第四版 高等教育出版社，清华大学电子教研室 阎石主编的P53页电路图

1、当Vi=Ve1=0.2v 时T1导通，这时Vb1被钳制到0.2+0.7=0.9v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=0.2v,由于Vb2＜0.7v，所以T2截止,T3导通，T4截止，Vo输出为高电平。

2、当Vi=Ve1=3.6v 时T1也导通，这时Vb1被临时钳制到3.6v+0.7=4.3v，由于T1导通，故Vb2=Ve1=Vi=3.6v,由于Vb2＞0.7v，所以T2导通，侧Ve2=Vb4=3.6v-0.7v=2.9v,Vb4＞0.7v,所以T4导通，由于T2的导通导致T3的基极Vb3被钳制到0V，所以T3截止；所以Vo输出为低电平。另外由于T4的导通，并且发射极接地，反过来有影响到T4的基极被钳制到Vb4=0v+0.7v=0.7v,同样T2导通所以T2的基极Vb2=Vb4+0.7v=1.4v,再同样T1导通Ve1=vb2=1.4v,Vb1=Ve1+0.7v=2.1v。