顾彪，北京大学教授，博士生指导教师，辽宁省核学会副理事长，1938年9月出生。

中文名：顾彪

国籍：中国

民族：汉

出生日期：1938年9月

毕业院校：北京大学技术物理系

职业：教师

主要成就：获核工业部科技进步奖三次

1959年毕业于北京大学技术物理系，1959—69留北大从事加速与核物理科研及教学。作为主要骨干参加并完成了中国第一台30Mev 电子感应加速器的设计与研制。1969—1990在核工业西南物理研究院从事等离子体理论与实验研究，其中1980—1982在美国UCLA应用等离子体物理实验室从事波与等离子体相互作用方面的实验研究，研究了共振吸收引起的等离子体波碎、超热电子、弧子 等非线性问题，独立提出的使波碎理论完备化的第二波碎条件得到了国际同行的承认。1984年后主持585磁镜聚变研究，负责并完成了多项磁镜等离子体的约束、加热、与不稳定性方面的研究课题，曾获核工业部科技进步奖三次。1984—1985任联合国原子能机构（IAEA）磁镜聚变研究技术委员会委员。1990年调入大连理工大学，负责筹备并建成了电磁工程系（现电气工程系）。

1,ECR与感应耦合等离子体特性的理论与实验研究

2,ECR等离子体增强MOCVD生长GaN的特性于生长工艺的研究。

3,DBD及常压辉光放电等离子体特性及对化纤与高分子材料的改变。

几年来曾负责完成了两项自由基金（19175011，19575006）和一项国家九五863（715-011-0033）项目，在国内首次生长出了立方GaN单晶膜，受到国内外同行专家的注意与重视。作为项目负责人与主要参加者正进行两项国家自然科学基金----“常压辉光放电等离子体特性及其对丙纶织物改性的研究”（10075010） 与“自组装GaN量子点结构的ECR-PAMOCVD生长与特性”（69976008）----- 的研究。1997年曾获省教委科技进步奖；并曾作为等离子体学科负责人参加了一项重点基金（59137070）—“脉冲电晕放电等离子体活化法脱除烟气中的SO2 与NOx”，该重点基金已完成并发展为八五与九五国家重点攻关项目；此外，还承担与完成了多项省市级关于高速钢深冷改性及等离子体化纤改性的技术开发项目。1980年以来发表论文与报告100余篇。

出版著作和论文：

⑶最有代表性的论文、专著情况

（论文请按国际期刊、国际会议、国内核心期刊分类列出）

论文

序号 论文、专著、获奖项目名称 发表刊物或出版单位、时间 被SCI、EI索引

时间 署名次序

1 ECR Plasma in Growth

of C-GaN by Low

Pressure MOCVD＜Plasma Chemistry and Plasma

Processing＞（Vol.22,No:1）

（2002）：P.161-175 SCI刊物 1

2 GaN基材料及其在短波

光电器件领域的应用。《高技术通讯》 Vol.12（2002）：104-110 EI刊物 1

3 常压辉光放电的建立

及其特性实验研究. 《佳木斯大学学报》（自然科学版）19卷，NO：2（2001）：　P.125-129

2

4 Investigation of GaN

Growth Directly on

Si（001） by ECR Plasma Enhanced MOCVD

Inte. conf. on surface and interface science and engineering,（July 31- August 2,2001,Shenzhen,P. R. China）:67

国际会议 1

5 GaN生长工艺流程

实时测控系统 《大连理工大学学报》Vol.41,No.6,

（2001.11）：701-706

EI刊物 2

6 The effects of GaAs substrate nitridation

with N2–H2 plasma on

c–GaN epitaxy

growth by ECR–PEMOCVD. 《Chinese Journal of Luminescence》

Vol.22（2001）：24-28 EI刊物 2

7 ECR Plasma in Growth of Cubic GaN by low Pressure MOCVD　（Invited lecture） Proc. Of　14th Inte. Symp.on Plasma　Chemistry （Aug. 2-6 1999,Prague,Czec）

Vol.Ⅲ： 1487-90 大型国际会议

邀请报告 1

8 无声放电对聚酯织物表面的等离子体接枝改性＜；大连理工大学学报＞

39卷（1999）：726-9 EIP 00095310792 1

9 Activated Nitrogens in

ECR Plasma and its

Effects on Growth of

Cubic GaN IEEE Inte. Conf. on Plasma Science（June,1998.North Raleigh Hilton,North Carolina,USA）P。182-6 EIP 98084343850 1

10 Roles of Plasma in Heteroepitaxy of Cubic GaN　（Invited lecture） Proc. Inte Topical Meetion on

Ⅲ-V Nitride Material and

Device,（Aug17-22,1998 Beijing,China）：P49-51 国际会议

邀请报告 1

11 GaAs衬底上异质外延的

立方GaN薄膜与界面 半导体学报.

19⑷，（1998）：241-44

EIP.

99084738907,

CA.　12995924w1998 1

12 高分子材料表面改性

过程的动力学机制 大连理工大学学报

38⑸（1998）：529—33 EIP

99034620115 2

13 （001）GaA衬底上立方GaN

的低温生长

《稀有金属》

Vol.22⑶（1998）：143-145

EI刊物 1

14 聚合物表面等离子体

接枝共聚改性＜；大连理工大学学报＞

Vol.38⑵ （1998）：p248 EI刊物 2

15 Plasma Pretreatment of

GaAs Substrates and ECR-PAMOCVD of Cubic GaN Proc. Of 2nd Inte. Symp. On

Blue Laser and Light Emitting Diodes （Sep. 29- Oct. 2 1998 Chiba,Japan）：524-527 ISTP

1998 1

16 深冷处理引起高速钢的性能改善与微结构变化 《大连理工大学学报》

Vol.37⑶（1997）：285-289 EI99084738907,CA。129195924 1

17 Low Temperature Growth of Cubic GaN by ECR Plasma Assisted MOCVD 13-th Inte. Symp. On Plasma Chemistry，　vol. Ⅲ （1997,8.18 Beijing）：P.1141-1146 大型国际会议

报告 1

18 氮ECR微波等离子体的

电子能量分布 核聚变与等离子体物理

17⑶（1997）：P45-50 EI刊物 2